Simulation ab initio des matériaux semiconducteurs
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Date
2023-05-25
Authors
Journal Title
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Volume Title
Publisher
UNIVERSITE MOHAMED BOUDIAF - M’SILA
Abstract
Le but de ce travail est d'étudier et de comparer les propriétés structurelles, électroniques et élastiques des
alliages Half-Heusler (le LiCdP) et les semi-conducteurs III-V(le GaSb). Nous avons utilisé le
programmeur CASTEP qui est une implémentation du pseudo potentiel combinée à la méthode des ondes
planes (PP-PW) dans le cadre de la théorie de la fonction de densité (DFT). En utilisant deux
approximations pour le potentiel d'échange et de corrélation GGA-PBE pour calculer les propriétés
structurales et élastiques, bien que, pour les propriétés électroniques (structure de bandes) on a aussi
utilisé une fonctionnelle hybride HSE03. Nos résultats des propriétés structurelles à savoir la constante
du réseau cristallin, le module de compressibilité et sa dérivée des deux matériaux étaient en bon accord
avec les résultats expérimentaux et théoriques disponibles. Les résultats obtenus pour les propriétés
électroniques en utilisant HSE03 montrent une amélioration considérable par rapport aux autres travaux
théoriques et sont plus proches aux données expérimentales. Nous avons aussi calculé les constants
élastiques de deux matériaux le LiCdP et le GaSb.