Etude de l’effet de la température de recuit sur les propriétés des couches minces de CuInSe2 Par électrodéposition
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Date
2018-06-27
Authors
Journal Title
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Volume Title
Publisher
Université Mohamed BOUDIAF de M'Sila
Abstract
La synthèse par la méthode d’électrodéposition et l’étude de l’influence de la température de
recuit sur les propriétés structurales et optiques des couches élaborées ont été l’objectif
principal de ce mémoire.
Les solutions ont été obtenues par la dissolution du chlorure de cuivre CuCl2, le chlorure
d’indium InCl3, et le dioxyde de sélénium SeO2 dans l’eau désionisée. Les films élaborés sont
placés dans des capsules en verre à une pression de 10 mbar d’un mélange gazeux d’argon et
de néon .Après l’encapsulation, les échantillons ont subi un recuit thermique à une
température qui varie de 100 à 350 °C durant 30 min.
Les films recuits à des températures supérieures ou égales à 200 °C présentent uniquement la
phase CuInSe2 sous sa structure chalcopyrite avec [112] comme axe d’orientation
préférentielle. L'énergie de gap du film recuit à 350 °C est égale 1.07 eV.
Le film recuit à 350 °C présente des propriétés structurales et optiques convenables pour la
fabrication des cellules solaires en couches minces
Description
Keywords
Couches minces, électrodéposition, CuInSe2, photovoltaïque.