Etude comparative des propriétés optoélectroniques et mécaniques des semiconducteurs

dc.contributor.authorCHELLALI Sara
dc.date.accessioned2021-02-09T11:58:23Z
dc.date.available2021-02-09T11:58:23Z
dc.date.issued2020-06-30
dc.description.abstractUne méthode de calcul Ab-Initio a été utilisée pour étudier les propriétés structurales, électroniques, mécaniques, élastiques et optique de InN En utilisant l’ approximation GGA , la méthode des pseudo-potentiels et ondes planes dans le cadre de la théorie de la densité (DFT) dans la structure cubique (zinc blende) , En effet, les structures de bandes et les densités d’états « DOS » obtenus montrent que InN est à gap direct .Une cohérence a été montrée entre nos résultats concernant les propriétés mécaniques et optiques et ceux d'autres calculs théoriques et d’autres données expérimentalesen_US
dc.identifier.urihttps://repository.univ-msila.dz/handle/123456789/23767
dc.language.isofren_US
dc.publisherUNIVERSITE MOHAMED BOUDIAF - M’SILAen_US
dc.subjectEtude comparative des propriétés optoélectroniques et mécaniques des semiconducteursen_US
dc.titleEtude comparative des propriétés optoélectroniques et mécaniques des semiconducteursen_US
dc.typeThesisen_US

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