Etude des propriétés structurales ,électroniques et é lastiqu es du semi-conducteurs AlP par la méthode ab-initio.

dc.contributor.authorLAOUIDJI, Houri a
dc.date.accessioned2019-07-14T12:38:14Z
dc.date.available2019-07-14T12:38:14Z
dc.date.issued2019-07-02
dc.description.abstractUne investigation a été traitée en utilisant la théorie de la densité fonctionnelle dans les approximations du gradient généralisé GGA et LDA avec la méthode du pseudo-potentiel. Cette étude concerne les propriétés structurales, élastiques et électroniques du semiconducteur AlP qui fait l'objet de ce travail. Notre résultats sur le paramètre de maille est bonne accord avec les résultats expérimentaux et théorique existe dans la littérature.. Le semi-conducteur AlP montre un gap indirect. Les constantes élastiques et le module de compression montrent que le semi-conducteur AlP est élastiquement stable.en_US
dc.identifier.urihttps://repository.univ-msila.dz/handle/123456789/14967
dc.language.isofren_US
dc.publisherUniversité Mohamed BOUDIAF de M'Silaen_US
dc.subjectélectroniques, é lastiqu es, semi-conducteurs AlP, la méthode ab-initio.en_US
dc.titleEtude des propriétés structurales ,électroniques et é lastiqu es du semi-conducteurs AlP par la méthode ab-initio.en_US
dc.typeThesisen_US

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