L'effet de la température sur les propriétés électroniques et optiques des semi-conducteurs III-V
| dc.contributor.author | KARIMA, Guerra | |
| dc.date.accessioned | 2019-02-17T09:23:47Z | |
| dc.date.available | 2019-02-17T09:23:47Z | |
| dc.date.issued | 2016-06-04 | |
| dc.description.abstract | Les semi-conducteurs III-V, font un sujet d’actualité, vu les multiples applications technologiques, ils ont des propriétés Physiques qui peuvent être mises à profit pour des applications en optoélectronique. Dans cette contribution, nous avons étudié l'effet de la température sur les propriétés électroniques et optiques en utilisant deux approches différentes à savoir : l'approche de Varshni et celui de Bose-Einstein. Nos résultats ont montres un bon accord avec ceux de l'expérience. La variation des paramètres étudies en fonction de la température a montré une tendance non-linéaire et monotone. Aucune transition de bande interdite dans l'intervalle 0-600 K n'a été observé. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://repository.univ-msila.dz/handle/123456789/7823 | |
| dc.publisher | Université Mohamed BOUDIAF de M'Sila | en_US |
| dc.subject | bande interdite, indice de réfraction, fonction diélectrique, InSb, température. | en_US |
| dc.title | L'effet de la température sur les propriétés électroniques et optiques des semi-conducteurs III-V | en_US |
| dc.type | Thesis | en_US |