Modélisation numérique des paramètres électriques des photodiodes à avalanche
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Date
2017
Authors
Journal Title
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Volume Title
Publisher
Faculte de technologie / UniversiteMohamed Boudiaf - M’sila
Abstract
Due à l’application vaste des photodiodes à avalanche dans de nombreux domaines extrêmement
porteurs: la médecine, la communication, le stockage et la lecture des informations, la dosimétrie, la détection
des incendies, la métrologie, la spectroscopie UV, les mesures environnementales…etc. Donc, il est important
d’analyser le principe de base de la photo-détection basée sur les photodiodes à avalanche afin de mieux
comprendre les paramètres importants (électriques et géométrique) et leurs impact sur le comportement et le
fonctionnement des circuits photoniques notamment les circuits à photodiodes.
L’objectif de ce travail est d’étudier les différentes structures de photodiodes à avalanche et de
modéliser leurs caractéristiques électriques tel que le gain et la tension de claquage afin d’améliorer leurs
performances. En effet, des simulations numériques seront effectuées pour décrire le comportement électrique
des photodiodes à avalanche notamment la tension de claquage ainsi la variation de la tension de claquage avec
la température, ce qui permet au designer l’obtention des résultats en terme de performance et d’adresser les
problématiques relatives aux domaines d’application.
Description
Keywords
Photodiode à avalanche, coefficient de température, tension de claquage, gain de multiplication. Materiel requis: Matlab, Silvaco