Effet de la pression sur les propriétés électroniques et optiques du composé semiconducteur InAs
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Date
2016-06-04
Authors
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Publisher
Université Mohamed BOUDIAF de M'Sila
Abstract
Le choix de la méthode des pseudopotentiel empirique l'EPM est basé essentiellement
sur le fait d'obtenir les états de valence sans calculer pour autant les états du coeur qui ne sont
pas nécessaire pour la description de propriétés physiques d'un système. Les états réels sont
décrits par des pseudos fonctions d'ondes planes minimisant ainsi les calculs numériques
Description
Keywords
la pression, les propriétés électroniques, les optiques, composé semiconducteur, InAs