CdXP2 (X : Ge، Sn،Si)دراسة الخصائص البنيوية ،الالكترونية والضوئية لمواد
Loading...
Date
2019-07-10
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Université Mohamed BOUDIAF de M'Sila
Abstract
Dans ce travail, nous avons étudié les propriétés, structurales, électroniques et optique de Cd
(Si, Ge, Sn) P2 en utilisant la théorie fonctionnelle de densité (DFT) basée sur la méthode
d’onde plane augmentée linéaire (FP-LAPW). Pour traiter le potentiel d'échange-corrélation
pour, les calculs d'énergie totale, l’approximation (LDA) de waler cohen a été utilisée. De
plus, l'approximaton potentialle de (TB-mBJ) modifiée, qui corrige avec succés le probléme
de bande interdite, a été utilisée pour les calculs de structure de bande. Les constantes de
réseau calculées et les valeurs de bande interdite pour ces alliage sont en bon accord avec les
données théoriques et expérimentales disponibles. Ainsi que fonction diélectrique et le
coeffitient d’absorption sont calculés pour étudier les propriétés optiques. Les propriétés
électroniques et optique révélent que ces alliages sont très utiles pour des application en
photonique, optoélectronique et optique.
Description
Keywords
Cd (Si, Ge, Sn) P2 , FP-LAPW, DFT , structure de bande , TB-mBJ, optoélectronique.