L’effet du dopage et de la température sur la mobilité et la résistivité d’un capteur de pression piézorésistif
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Date
2022-09-13
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
university of M'sila
Abstract
Dans ce mémoire, nous avons procédé à la modélisation de l’effet du dopage et de la
température sur la piézorésistivité d’un capteur piézorésistif par le logiciel de simulation
Pspice de version 9.1. D’abord, on a commencé par présenter une synthèse sur les capteurs
de pression piézorésistifs. Ensuite, nous avons fait une présentation de base sur la
conception d’un composant dans la librairie du Pspice, qui est l’"EVALUE". Enfin, nous
avons étudié l’effet du dopage et de la température sur la piézorésistivité en utilisant le
modèle ARORA.
Description
Keywords
Silicium, capteur de pression, tension d’offset, piézorésistivité, modélisation.