Étude et simulation des propriétés optoélectroniques du Laser à semi-conducteurs type DFB
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Date
2021
Authors
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Publisher
univ msila
Abstract
Dans une chaine de transmission optique, la diode laser reste le composant majeur
utiliser pour la génération de la lumière, dont le but d’obtenir des signaux monochromatiques,
directionnels et longitudinaux. Suivant les applications visées, les caractéristiques du laser
(seuil, puissance optique, longueur d’onde) seront différentes. Pour utiliser le multiplexage en
longueur d’onde, les lasers doivent être monomodes (émettant une seule longueur d’onde). De
plus, pour permettre l’interopérabilité des signaux d’une puce à l’autre, la longueur d’onde
des lasers doit pouvoir être précisément choisie. Les lasers seront donc préférés accordables,
Spécialement le laser à semi-conducteurs type DFB.
L’objectif de ce travail est l’étude des diodes lasers à base de semi-conducteur, plus
particulièrement le laser DFB. Lors de cette étude, nous avons utilisé deux types du laser
DFB : le laser DFB Uniforme et le laser DFB à saut de phase. Pour les deux types on utilise le
mode fondamental, et un réseau de Bragg sinusoïdal. L'étude détaillée d'un modèle à deux
dimensions, qui se limite au régime stationnaire de la diode laser a été présentée. La
simulation par le logiciel Rsoft_Lasermod du modèle étudié, a permis de maitriser le
comportement d’un tel composant.
Description
Keywords
lasers à base de semi-conducteur, réseau de Bragg, émission stimulée, recombinaison, mode fondamental.