Etude des propriétés statiques du MESFET SiC par une simulation numérique
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Date
2015
Authors
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Publisher
UNIVERSITE DE M’SILA FACULTE DE TECHNOLOGIE
Abstract
Les transistors à effet de champ à barrière Schottky MESFET SiC sont des composants
principaux utilisés en microélectronique. Pour cela, nous avons étudié les caractéristiques
statiques du composant MESFET SiC, à l’aide d’un modèle analytique.
Aussi, ce travail a pour but de simuler numériquement l’influence des paramètres
technologiques et physiques sur le fonctionnement du transistor SiC tel que la longueur de
grille, l’épaisseur, le dopage du canal et la température afin d’optimiser ces performances à
travers le logiciel Matlab
Description
Keywords
MESFET, microélectronique, simulation, SiC.