بن زواد بشرى2020-11-232020-11-232020-09Ph APP 01/2020https://repository.univ-msila.dz/handle/123456789/20874تعالج هذه الد ا رسة الخصائص البنيوية، الإلكترونية والضوئية لمركب البيروفسكايت المكعب 3CsPbI . الهدف من هذا العمل هو د ا رسة بعض خصائص مركب 3CsPbI تمهيدا لمعرفة إمكانية استخدام هذا المركب قيد الد ا رسة في التطبيقات الالكتروضوئية و الكهروضوئية. لهذا الغرض تم استخدام طريقة الموجات المستوية وشبه الكمون ال ا زئف التي تم تنفيذها في برنامج CASTEP ضمن تقريب التدرج المعمم في الحسابات ) GGA (، وقد توافقت نتائج البحث مع النتائج النظرية، وأشارت حسابات بنية النطاق الإلكتروني أن المركب المدروس عبارة عن نصف ناقل مع فجوة نطاق مباشرة بقيمة ) 1.72eV (، علوة على ذلك وجد أن هذا المركب ذو معامل امتصاص مرتفع ( 104 cm−1<) ، وبلغ ثابت العزل الكهربائي الخاص به ومعامل الانكسار السكونيين 6 و 2.45 على التوالي. وتشير الخصائص المدروسة للمركب قيد الد ا رسة أن هذه المادة يمكن أن تكون بديل )مرشحا( جيدا للتطبيقات الالكتروضوئية و الكهروضوئية.دراسة الخواص البنيوية. الالكترونية والضوئية لمركب البيروفسكايت في الحالة المكعبةThesis