BAZA, Safa2018-12-162018-12-162018653http://dspace.univ-msila.dz:8080//xmlui/handle/123456789/6671L’objectif de ce présent travail est la caractérisation d’une structure Schottky du contact métal/semi-conducteur. Le métal et le semi-conducteur considérés dans notre étude sont l’Aluminium (Al) et l'arséniure de gallium (GaAs), respectivement. Le simulateur MATLAB nous a permis d’étudié les propriétés électriques courant-tension (I-V) d’une diode Schottky, les caractéristiques I–V sont présentées et l’effet de quelques paramètres, tels que le facteur d'idéalité, la température, le travail de sortie du métal ainsi que l’affinité électronique du semi-conducteur, a été étudiéfrThesis