BOUDRAA, MohamedBENLEMKHARBECH, OkbaEnca/ BOUCHAMA, Idris2021-09-072021-09-072021-07-17https://repository.univ-msila.dz/handle/123456789/25548Dans le contexte global de la diversification de l’utilisation des ressources naturelles, le recours aux énergies renouvelables et en particulier le solaire photovoltaïque se fait de plus en plus fort. A ce titre, le développement d’une nouvelle génération de cellules photovoltaïques à base de Cu (In, Ga) Se2 semble prometteur. En effet, le rendement de ces cellules a dépassé les 20% ces dernières années avec certaine condition d'élaboration. L'étude du comportement des caractéristiques électriques des cellules photovoltaïques à base de CIGS est passé par l’optimisation des paramètres primordiales tels que l’épaisseur et le dopage des couches de structure typique de ZnO(n)/CdS(n)/ODC/CIGS(p). Cette étude est effectuée par le simulateur SCAPS-1D. Le but de ce travail, est d'étudier l'effet des défauts profonds dans l'absorbeur CIGS et dans la couche des défauts ODC ainsi que les défauts d'interface ODC/ZnSe sur les performances de la cellule ZnO(n)/CdS(n)/ODC/CIGS(p).frCellule solaire, Couche mince, Cu (In, Ga) Se2, Simulation numérique, SCAPS- 1D.Thesis