BOUAOUINA Amani. Enc/ CHARIFI Zoulikha2024-07-102024-07-102024-07https://repository.univ-msila.dz/handle/123456789/43567À travers ce travail, nous avons étudié les propriétés structurales et électroniques des composés GaS, GaSe et GaTe en configurations à la fois tridimensionnelles (3D) et bidimensionnelles (2D) en utilisant la méthode des plans d'onde augmentés linéarisés (FP-LAPW) de premiers principes dans le cadre de la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT). Nous avons utilisé l'approximation du gradient généralisé (GGA) et l'approximation de la densité locale (LDA) en utilisant le programme WIEN2k pour calculer les propriétés structurales. Pour les propriétés électroniques, nous avons utilisé les approximations de Becke-Johnson modifiées (mBJ) et (EV-GGA), en plus des approximations précédentes, pour améliorer les résultats. Nous avons également étudié les propriétés élastiques.frNanomatériauxmatériaux (2D)matériaux (3D)bande interditesemi-conducteurWien2k.Thesis