BENSEFA, Lwiza2019-02-202019-02-202018-06-26http://dspace.univ-msila.dz:8080//xmlui/handle/123456789/8404Dans ce travail, nous avons étudié quelques propriétés optoélectroniques, diélectriques et la longueur d'onde avec et sans tenir compte de l’effet du désordre compositionnel des composés binaires semi-conducteurs InSb, InP et leurs alliages ternaires InPXSb1−X. Ces alliages ont un intérêt important pour la conception des dispositifs optoélectroniques tels que, les cellules solaires, les dispositifs luminescents et les diodes laser. La méthode utilisée est celle du pseudopotentiel empirique local (EPM) couplée avec l’approximation du cristal virtuel (VCA) qui inclut l'effet du désordre compositionnel par l'introduction d'un potentiel effectif du désordre. Cette méthode est simple et donne des résultats rapides et en général fiables. L'accord entre nos résultats et les données connues dans les littératures, sur les paramètres étudiés, s'avère raisonnablement bon. Tous les paramètres étudiés varient monotoniquement en fonction de la composition x du phosphore. Une attention particulière a été accentuée sur l’effet du désordre compositionnel sur les gaps d’énergies 𝐸  , 𝐸 𝑋 et 𝐸 𝐿 , l'indice de réfraction, la longueur d'onde et les constantes diélectriques de l’alliage InPXSb1−X. Ce dernier s’avère très important et nous ne pouvons pas le négligerfrdésordre compositionnel, les propriétés électroniques, optiques, alliages ternaires semiconducteurs InPXSb1-XThesis