ZEGHAD, Aldjia2020-11-192020-11-192020-09https://repository.univ-msila.dz/handle/123456789/20742On a étudié les propriétés structurales, élastiques et électroniques à l’équilibre et sous l’effet de la pression pour les composés GaP, GaAs et GaSb. Ces composés cristallisent dans la structure blende de zinc. On a utilisé la méthode ab –initio avec un pseudo potentiel et ondes planes (PP-PW) avec la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT) implémenté dans le code CASTEP. On a calculé la constante de la maille, le module de compressibilité et sa dérivée par rapport à la pression. Ces paramètres sont en bon accord avec l’expérience et les résultats théoriques cités dans la littérature. On a déterminé les constantes élastiques. La structure de bande électronique de chaque composé indique un gap direct Γ- Γ.frEtude des propriétés physiques des semi- conducteurs par la méthode Ab-initioThesis