Ben Saad, Cherif2019-02-192019-02-192018-06-24http://dspace.univ-msila.dz:8080//xmlui/handle/123456789/8213Une investigation a été traitée en utilisant la théorie de la densité fonctionnelle dans les approximations du gradient généralisé (GGA) et dans l’approche du cristal virtuel (VCA). Cette étude concerne les propriétés structurales, élastiques et électroniques dans le semiconducteur X x GaP As 1 qui fait l'objet de ce travail. Une déviation de la linéarité a été observée dans l'évolution de la constante de la maille en fonction de la concentration x. Le semiconducteur X x GaP As 1 montre un gap direct. Les constantes élastiques et le module de compression montrent que le semi-conducteur X x GaP As 1 est élastiquement stablefrpropriétés structurales, semi-conducteurs, la methode Ab-initioThesis