Refice, Fatima Zohra2019-02-142019-02-142016http://dspace.univ-msila.dz:8080//xmlui/handle/123456789/7701Nous rapportons dans ce travail une étude théorique des propriétés électroniques, optiques et diélectriques de l’alliage quaternaire semi-conducteur GaxIn1-xAsyP1-y dans la structure zinc blende déposés sur les substrats InP et GaAs. Ces alliages ont un intérêt important pour la conception des dispositifs optoélectroniques. Les calculs sont principalement basés sur l'approche du pseudo-potentiel empirique avec l’approximation du cristal virtuel VCA. Nos résultats ont montré qu'en faisant varier la concentration du Gallium, l’alliage GaxIn1-xAsyP1-y présente un gap direct pour les intervalles (0 ≤ x ≤0.47 ,0 ≤y ≤1) et (0.52 ≤ x ≤1 ,0 ≤y ≤1) pour les deux substrats InP et GaAs respectivement, ce travail pourrait nous fournir des diverses possibilités pour l’obtention des indices de réfraction et des constantes diélectriques en faisant varier les compositions (x et y) . Nos résultats sont en bon accord avec les résultats expérimentaux et théoriques disponibles et d’autres sont des prévisions.électroniques optiques, diélectriques des alliages, semi-conducteursThesis