Browsing by Author "Benyounnes, Nora"

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    Contribution à l'étude de la réaction à l'état solide Cu/Si-Effet D’une barrière de diffusion de titane
    (UNIVERSITE MOHAMED BOUDIAF - M’SILA, 2005) Benyounnes, Nora
    Le présent travail porte sur l'élaboration de structure Cu/Ti/Si et leurs caractérisations physico-chimiques et électriques en fonction du recuit thermique. Les films de cuivre d'épaisseur 1000A° sont déposés par évaporation (effet joule) sur un substrat de silicium monocristallin Si(111) à travers une couche barrière de titane d'épaisseur 200A°. Le recuit thermique est effectué sous vide (2.10-7torr) pour les différents échantillons dans l'intervalle de température 200-600°C. L'étude physico-chimique est réalisée à l'aide de la diffraction de rayon X(DRX), le microscope électronique à balayage (MEB) et la microanalyse X (EDX).les mesures I(V) représentent la caractérisation électrique. Les principaux résultats d'analyse montrant que : le recuit thermique à une température de 200°C pendant 30 minutes a pour conséquence la cristallisation du cuivre et du titane. la consommation totale de la couche de cuivre a été enregistrée après traitement thermique à 600°C au profit de la formation et de la croissance de la phase Cu3Si. la réaction commence à partir de 400°C, donc l'interposition d'une couche barrière de titane de 200A° retard cette réaction mais ne l'empêche pas d'avoir lieu, et d'autre part cette couche est une mauvaise barrière puisque elle rompt à une basse température. les différentes allures des caractéristiques électriques I (V) montre que la structure Cu/Ti/Si(p) mute d'une caractéristique Schottky, pour l'échantillon de référence, vers celle d'un contact Ohmique au fur et à mesure que la température de recuit augmente.