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    Rôle de l'étain sur la conductivité des couches passives formées sur des alliages plomb-étain dans les accumulateurs au plomb
    (UNIVERSITE MOHAMED BOUDIAF - M’SILA, 2022-06) OUAGUENI Adel HABASSI Said AKSA Yassine
    Conclusions de base sur les effets de l'étain dans les alliages Pb-Sn L'étain améliore les propriétés mécaniques des alliages Pb-Sn. Il réduit les phénomènes de passivation qui se produisent sur les plaques positives de la batterie et améliore la résistance à la corrosion des grilles positives. L'étain augmente également la résistance au fluage des alliages Pb-Ca-Sn et maintient ainsi un bon contact entre le CL et le PAM. La combinaison d'une résistance élevée à la corrosion et d'une résistance élevée au fluage des grilles prolonge la durée de vie des batteries. Les Outres effets mentionnés ci-dessus, l'étain a également une influence bénéfique sur le processus de coulée, réduisant les pertes de métal pendant la coulée et contribuant à la facilité et à la stabilité du processus lui-même. Le seul inconvénient de l'étain est son prix assez élevé, mais la dépense en vaut la peine au vu des effets bénéfiques importants de l'étain sur les performances de la batterie. Les alliages plomb-calcium-étain avec 0,06-0,08 % Ca et 0,6-1,5 % Sn sont utilisés pour la fabrication de grilles positives pour les batteries automobiles. Les grilles coulées ont une structure à gros grains et assurent fonctionnement stable de la batterie. Ils sont très résistants à la corrosion et peuvent donc garantir une longue durée de vie de la batterie. Lors de la corrosion des grilles, il se forme un CL composé de PbO, PbOn (1 < n < 2) et PbO2. Lors du cyclage, la sous-couche de PbO formée sur les grilles Pb, Pb-Ca ou Pb-low-Sb peut rapidement atteindre une épaisseur considérable et créer une interface à haute résistance ohmique. Lorsque l'alliage de grille contient des quantités considérables d'additifs Sb ou Sn, les ions Sb et Sn accélèrent l'oxydation du PbO en oxydes de valence plus élevée et de conductivité électrique plus élevée, réduisant ainsi l'épaisseur de la couche de PbO et donc la résistance ohmique de l'interface.