La structure électronique et les propriétés de transport des matériaux TiX2 (X= S, Se et Te)
| dc.contributor.author | Mili, Ilyas | |
| dc.date.accessioned | 2019-02-20T13:33:52Z | |
| dc.date.available | 2019-02-20T13:33:52Z | |
| dc.date.issued | 2017-06-08 | |
| dc.description.abstract | Dans notre travail nous avons étudié Les propriétés structurales, électroniques et thermoélectrique des composes TiX2 (X= S, Se et Te). Les calculs ont été effectués par la méthode de calcul des ondes planes augmentées (FP-LAPW) qui se base sur la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT). Nous avons utilisé l'approximation de la densité locale (LDA) et l'approximation du gradient généralise (GGA) pour le terme du potentiel d'échange et de corrélation (XC) pour calculer les propriétés structurales tel que (le paramètre de réseau, module de compressibilité, énergie minimal…ect), pour les propriétés électroniques (structure de bandes (les gaps), la densité d’états totale et partielle) on a utilisé LDA, GGA et EV-GGA. Les valeurs du paramètre de réseau d’équilibre sont en accord avec les résultats expérimentaux disponibles. Les résultats obtenus pour la structure de bandes en utilisant EV_GGA montrent une amélioration considérable par rapport à ceux trouves en utilisant les deux approximations LDA et GGA, Nous avons aussi étudié les propriétés thermoélectrique on utilise trois approximation LDA, GGA et EV-GGA. Le coefficient Seebeck, la conductivité électrique, la conductivité thermique et le facteur de mérite ZT ont été calculés et comparé aux résultats disponibles. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://repository.univ-msila.dz/handle/123456789/8468 | |
| dc.language.iso | fr | en_US |
| dc.publisher | Université Mohamed BOUDIAF de M'Sila | en_US |
| dc.subject | La structure électronique, les propriétés de transport, matériaux, TiX2 (X= S, Se et Te) | en_US |
| dc.title | La structure électronique et les propriétés de transport des matériaux TiX2 (X= S, Se et Te) | en_US |
| dc.type | Thesis | en_US |