دراسة الخواص البنيوية. الالكترونية والضوئية لمركب البيروفسكايت في الحالة المكعبة
Loading...
Date
2020-09
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
UNIVERSITE MOHAMED BOUDIAF - M’SILA
Abstract
تعالج هذه الد ا رسة الخصائص البنيوية، الإلكترونية والضوئية لمركب البيروفسكايت المكعب 3CsPbI .
الهدف من هذا العمل هو د ا رسة بعض خصائص مركب 3CsPbI تمهيدا لمعرفة إمكانية استخدام هذا
المركب قيد الد ا رسة في التطبيقات الالكتروضوئية و الكهروضوئية. لهذا الغرض تم استخدام طريقة الموجات
المستوية وشبه الكمون ال ا زئف التي تم تنفيذها في برنامج CASTEP ضمن تقريب التدرج المعمم في
الحسابات ) GGA (، وقد توافقت نتائج البحث مع النتائج النظرية، وأشارت حسابات بنية النطاق الإلكتروني
أن المركب المدروس عبارة عن نصف ناقل مع فجوة نطاق مباشرة بقيمة ) 1.72eV (، علوة على ذلك وجد
أن هذا المركب ذو معامل امتصاص مرتفع ( 104 cm−1<) ، وبلغ ثابت العزل الكهربائي الخاص به
ومعامل الانكسار السكونيين 6 و 2.45 على التوالي. وتشير الخصائص المدروسة للمركب قيد الد ا رسة أن
هذه المادة يمكن أن تكون بديل )مرشحا( جيدا للتطبيقات الالكتروضوئية و الكهروضوئية.
Description
Keywords
دراسة الخواص البنيوية. الالكترونية والضوئية لمركب البيروفسكايت في الحالة المكعبة