Etude des propriétés dynamiques du réseau et leurs dépendances en pression des semi-conducteurs binaires IV, III-V, II-VI.
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Date
2016-06-04
Authors
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Publisher
Université Mohamed BOUDIAF de M'Sila
Abstract
Basé sur l’approche de Davydov et Tikhonof couplée au modèle de Harrison, les
propriétés structurales et vibrationnelles ont été étudié à pression nulle et sous pression
pour les semi-conducteurs Si, InSb, InAs, GaAs, CdTe and ZnSe. Nos résultats ont montré
que toutes les propriétés d’intérêts varient d’une façon presque linéaire avec la pression
hydrostatique.
Description
Keywords
Semi-conducteurs binaires, pression, propriétés structurales, propriétés vibrationnelles