ÉTUDE DES PERFORMANCES DE LA CELLULE InGaP/GaAs/Ge PAR SIMULATION
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Date
2016
Authors
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Volume Title
Publisher
UNIVERSITE DE MOHAMED BOUDIAF M'SILA FACULTE DE TECHNOLOGIE
Abstract
Les cellules solaires multi-jonctions à base d’éléments III-V, dont les performances
n’ont cessé d’augmenter depuis la fin des années 90, permettent de les utiliser pour les
cellules solaires à haut rendement. Les structures triple-jonctions actuelles à base de
GaInP/GaAs/Ge ou GaInP/GaAs/GaInAs présentent des rendements de conversion record.
Nous nous intéressons dans ce travail à étudier les cellules multi-jonctions à base des
absorbeurs GaInP/GaAs/Ge par un outil de simulation deux dimensions : Atlas SILVACOTCAD.
Le but principal de notre travail est basé, dans un premier temps, sur l'obtention des
performances des cellules individuelles à base des absorbeurs GaInP, GaAs et Ge
séparément. Le rendement de conversion et le rendement quantique de chaque cellule
individuelle ont été estimés. Dans un deuxième temps, on a fait une comparaison des
performances des cellules individuelles obtenues dans la première section avec celles de la
cellule Tandem GaInP/GaAs et de la cellule multi-jonctions GaInP/GaAs/Ge. La
concentration des accepteurs de chaque absorbeur pour la cellule multi-jonctions
GaInP/GaAs/Ge a été déterminé afin d’analyser leur influence sur le rendement global de la
cellule solaire multi-jonctions étudiée. Le meilleur rendement de conversion obtenu pour la
cellule multi-jonctions GaInP/GaAs/Ge est de l'ordre de 15.16%.
Description
Keywords
Cellules Multi-jonctions, Atlas SILVACO-TCAD, Éléments III-V, Couches minces.