Etude des propriétés optiques et diélectriques des composés binaires GaAs,InAs et leurs alliages ternaires GaₓIn₁₋ₓAs

dc.contributor.author	Djihad, Zouaoui
dc.date.accessioned	2019-02-24T12:35:06Z
dc.date.available	2019-02-24T12:35:06Z
dc.date.issued	2014-06-19
dc.description.abstract	Basé sur la méthode du pseudopotentiel empirique couplée a l’approximation du cristal virtuel, le présent travail est porté sur une étude théorique qui a été effectuée afin d'étudier les propriétés électroniques, optiques et diélectriques de l’alliage ternaire GaxIn1-xAs. Nos résultats ont montré qu'en faisant varier la concentration de Ga de 0 à 1, notre l'alliage pourrait nous fournir de diverses possibilités pour l’obtention des bandes interdites souhaités, les indices de réfraction et les constantes diélectriques, nous permetd’avoir la possibilité de découvrir de nouveaux appareils avec des caractéristiques spéciales et de propriété optimum .	en_US
dc.identifier.uri	http://dspace.univ-msila.dz:8080//xmlui/handle/123456789/9168
dc.language.iso	fr	en_US
dc.publisher	Université Mohamed BOUDIAF de M'Sila	en_US
dc.subject	optiques, diélectriques, composés binaires, GaAs,InAs, leurs alliages ternaires GaₓIn₁₋ₓAs	en_US
dc.title	Etude des propriétés optiques et diélectriques des composés binaires GaAs,InAs et leurs alliages ternaires GaₓIn₁₋ₓAs	en_US
dc.type	Thesis	en_US

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