Etude des propriétés structurales et électroniques d’un Solide cristallin tri-et bidi-dimensionnel.

dc.contributor.authorElbahi Abdeldjabar
dc.date.accessioned2022-07-13T07:58:14Z
dc.date.available2022-07-13T07:58:14Z
dc.date.issued2022-06
dc.description.abstractCe travail rapporte des résultats basés sur des calculs de théorie fonctionnelle de la densité (DFT) utilisant la méthode des Ondes Planes Augmentées Linéarisées (FP-LAPW) employée dans le code informatique Wien2K pour calculer les propriétés physiques des nanomatériaux. Gallium nitride GaN(3D) et GaN(2D), c’est un avenir dans la nanotechnologie. Pour le potentiel d'échange-corrélation et calcul des propriétés électroniques des deux composés l’approximation du gradient généralisé (GGA), l’approximation de la densité locale (LDA) et EVGGA. Les résultats obtenus sont comparés à d'autres travaux théoriques et à des données acquises expérimentalement.en_US
dc.identifier.urihttps://repository.univ-msila.dz/handle/123456789/30193
dc.language.isofren_US
dc.publisherUNIVERSITE MOHAMED BOUDIAF - M’SILAen_US
dc.relation.ispartofseriesPH/MAT/11/2022;
dc.subjectGaN(3D), GaN(2D), Wien2k, FP-LAPW, DFT, GGA, LDA, EV-GGA.en_US
dc.titleEtude des propriétés structurales et électroniques d’un Solide cristallin tri-et bidi-dimensionnel.en_US
dc.typeThesisen_US

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