Etude des propriétés structurales et électroniques des semi-conducteurs chalcogenides à base de cuivre.
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Date
2019-07-03
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Volume Title
Publisher
Université Mohamed BOUDIAF de M'Sila
Abstract
Nous avous effectué une étude théorique en utilisant la méthode des ondes planes augmentées linéarisées (FP-LAPW) basée sur la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT). Le potentiel d’échange et de corrélation est traité par l’approximation de la densité locale (LDA) et l’approximation du gradient généralisée (GGA) et l’approximation modifiée de Becke-Johnson (mBJ). Les propriétés structurales telles que le paramètre de maille et le module de compressibilité et sa dérivée sont en bon accord avec les résultats expérimentaux disponibles. Notons que nos valeurs de rapport (c/a) et le paramètre interne (u) sont en bon accord avec les travaux antérieurs. Les matériaux chalcopyrites des composés CuInX2 (X=Se,S) sont non-magnétiques. La structure électronique des chalcopyrites ternaires CuInX2 (X=Se,S) a été effectué en calculant la structure de bandes et la densité d’états totale et partielle. Cette étude nous a monté que nos composé sont classés parmi les semi-conducteurs.
Description
Keywords
Chalcopyrites ternaires, FP-LAPW, DFT, GGA, LDA, mBJ