Etude Statique de la Caractéristique Electrique Courant-Tension d’une Structure Schottky
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Date
2018
Authors
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Publisher
Université Mohamed Boudiaf - M’sila
Abstract
L’objectif de ce présent travail est la caractérisation d’une structure Schottky du contact
métal/semi-conducteur. Le métal et le semi-conducteur considérés dans notre étude sont
l’Aluminium (Al) et l'arséniure de gallium (GaAs), respectivement.
Le simulateur MATLAB nous a permis d’étudié les propriétés électriques courant-tension
(I-V) d’une diode Schottky, les caractéristiques I–V sont présentées et l’effet de quelques
paramètres, tels que le facteur d'idéalité, la température, le travail de sortie du métal ainsi que
l’affinité électronique du semi-conducteur, a été étudié