Etude de comportement de la capacité d’une diode polycristallinne latérale
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Date
2016
Authors
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Volume Title
Publisher
UNIVERSITE DE MOHAMED BOUDIAF M'SILA FACULTE DE TECHNOLOGIE
Abstract
L’objectif de notre travail est d’étudier l’effet capacitif d'une diode latérale et voir
le comportement de la caractéristique C(V) (sous polarisation inverse) des jonctions PN
polycristallinnes. L’exploitation exhaustive des relations théoriques pour une jonction
graduelle nous a permis de caractériser la diode polycristalline. On donné une importance
majeur pour quelques paramètres très utiles pour connaitre des informations sur les grains
et les joints de grain. Ainsi nous avons pris en charge quelques caractéristiques électriques
de la diode latérale. Pour cela nous avons opté un environnement de simulation approprié
SILVACO pour la simulation des étapes technologiques de cette diode polycristallinne,
tenant compte au préalable des paramètres qui la caractérise, puis donner les modèles
physiques adéquats qui peuvent donner la capacité de la jonction PN latérale au silicium
polycristallinne à des différentes fréquences, sous le même environnement.
Description
Keywords
Diode latérale, Polycristallinne, Capacité, SILVACO