Étude et simulation des OPFETs à base de GaAs
| dc.contributor.author | Fatima, ABASSI | |
| dc.date.accessioned | 2019-07-14T12:49:00Z | |
| dc.date.available | 2019-07-14T12:49:00Z | |
| dc.date.issued | 2019 | |
| dc.description.abstract | Des sommes importantes ont été investies dans la recherche de circuits intégrés photoniques basé sur des matériaux semi-conducteurs, parmi lesquels l'arséniure de gallium (GaAs). L'arséniure de gallium peut être associé à une électrode métallique pour former une jonction Schottky du transistor à effet de champ métal-semi-conducteur (GaAs MESFET), le comportement de ce dispositif sous l'incidence d'un faisceau optique modulé dit OPFET sera discuté dans ce travail dont l’objectif est de comprendre les phénomènes responsables qui régissent ce composant photonique et de déterminer l’influence du faisceau optique, des paramètres physiques et géométriques sur les performances internes du dispositif, tels que les caractéristiques I (V), les capacités entre grille et source, la transconductance ,la conductance …..etc. Cette étude est menée à l’aide d’un modèle analytique tiré de la littérature, la simulation est conçue en MATLAB | en_US |
| dc.identifier.other | EL/INST004/19/731 | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.univ-msila.dz:8080//xmlui/handle/123456789/14971 | |
| dc.language.iso | fr | en_US |
| dc.publisher | UNIVERSITE MOHAMED BOUDIAF - M’SILA | en_US |
| dc.subject | OPFET , effet optique, photo détecteurs, transistor à effet de champ , GaAs | en_US |
| dc.title | Étude et simulation des OPFETs à base de GaAs | en_US |
| dc.type | Thesis | en_US |