Etude des propriétés optoélectroniques de matériaux semi-conducteurs à partir de calculs de premiers principes.

dc.contributor.authorHAMOUDI, Ilham
dc.contributor.authorKHEIRI, Idriss
dc.contributor.authorEnca/ HADJAB, Moufdi
dc.date.accessioned2022-09-13T09:03:56Z
dc.date.available2022-09-13T09:03:56Z
dc.date.issued2022-09-13
dc.description.abstractDans ce travail, nous avons étudié les propriétés structurales, électroniques et optiques de 3R-CuGaO2 en utilisant la théorie fonctionnelle de densité (DFT) basée sur la méthode d'onde plane augmentée linéaire (FP-LAPW). Pour traiter le potentiel d'échange-corrélation pour les calculs d'énergie totale, les approximations LDA et GGA ont été utilisées. De plus, l’approche de Becke Johnson (mBJ) modifiée, qui corrige avec succès le problème de bande interdite, a été utilisée pour les calculs de structure de bande. Les constantes du réseau calculées et les valeurs de bande interdite pour ce composé est en bon accord avec les données théoriques et expérimentales disponibles. Ainsi que la fonction diélectrique et le coefficient d'absorption sont calculées pour étudier les propriétés optiques. Les propriétés de ce composé en électronique et en optique montrent qu'il est particulièrement intéressant pour des applications de conversion photovoltaïqueen_US
dc.identifier.urihttps://repository.univ-msila.dz/handle/123456789/31526
dc.language.isofren_US
dc.publisheruniversity of M'silaen_US
dc.titleEtude des propriétés optoélectroniques de matériaux semi-conducteurs à partir de calculs de premiers principes.en_US
dc.typeThesisen_US

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