Étude de l'effet de l'énergie d'implantation sur les profils de distribution du dopant dans le silicium amorphe
| dc.contributor.author | Bouzina, Amina | |
| dc.date.accessioned | 2021-07-18T10:15:06Z | |
| dc.date.available | 2021-07-18T10:15:06Z | |
| dc.date.issued | 2021-06 | |
| dc.description.abstract | Il existe plusieurs méthodes pour effectuer le dopage d'un matériau :le dopage par diffusion,le dopage par transmutation nucléaire , le dopage par la technique laser et le dopage par implantation ionique. La technique la plus développée est celle correspondant à l'implantation ionique. Cette dernière technique peut être simulée par le logiciel TRIM. Dans ce travail, en utilisant le logiciel TRIM (Transport and Range of Ions in Mater ) élaboré par Ziegler, les deux types de dopage( P et N) ont été abordés en utilisant les éléments de la colonne V (dopage n) comme le phosphore et les éléments de la colonne III (dopage p) comme le bore du tableau périodique de Mendeleïev. Des effets physiques intéressants ont été simulés pour les deux types de dopage, on cite : la concentration du dopage, la perte d'énergie des ions dans la matrice du cristal, les ranges projectiles, les phonons reculés, les ions rétrodiffusés , les variations de ces paramètres ont étudiés et des courbes ont été enregistrées. Des comparaisons des résultats ont été faites et discutées concernant les deux types de dopage. | en_US |
| dc.identifier.uri | http://dspace.univ-msila.dz:8080//xmlui/handle/123456789/25116 | |
| dc.language.iso | fr | en_US |
| dc.publisher | UNIVERSITE MOHAMED BOUDIAF - M’SILA | en_US |
| dc.relation.ispartofseries | 2121/187; | |
| dc.subject | dopage, implantation ionique, silicium, SRIM | en_US |
| dc.title | Étude de l'effet de l'énergie d'implantation sur les profils de distribution du dopant dans le silicium amorphe | en_US |
| dc.type | Thesis | en_US |