Effet du désordre compositionnel sur les propriétés électroniques et optiques des alliages ternaires semiconducteurs InPXSb1-X
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Date
2018-06-26
Authors
Journal Title
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Volume Title
Publisher
Université Mohamed BOUDIAF de M'Sila
Abstract
Dans ce travail, nous avons étudié quelques propriétés optoélectroniques,
diélectriques et la longueur d'onde avec et sans tenir compte de l’effet du désordre
compositionnel des composés binaires semi-conducteurs InSb, InP et leurs alliages
ternaires InPXSb1−X. Ces alliages ont un intérêt important pour la conception des
dispositifs optoélectroniques tels que, les cellules solaires, les dispositifs luminescents
et les diodes laser.
La méthode utilisée est celle du pseudopotentiel empirique local (EPM) couplée
avec l’approximation du cristal virtuel (VCA) qui inclut l'effet du désordre
compositionnel par l'introduction d'un potentiel effectif du désordre. Cette méthode est
simple et donne des résultats rapides et en général fiables. L'accord entre nos résultats et
les données connues dans les littératures, sur les paramètres étudiés, s'avère
raisonnablement bon. Tous les paramètres étudiés varient monotoniquement en fonction
de la composition x du phosphore.
Une attention particulière a été accentuée sur l’effet du désordre compositionnel
sur les gaps d’énergies 𝐸
, 𝐸
𝑋 et 𝐸
𝐿
, l'indice de réfraction, la longueur d'onde et les
constantes diélectriques de l’alliage InPXSb1−X. Ce dernier s’avère très important et
nous ne pouvons pas le négliger
Description
Keywords
désordre compositionnel, les propriétés électroniques, optiques, alliages ternaires semiconducteurs InPXSb1-X