Etude des propriétés physiques fondamentales du semi-conducteur ZnSnP2

dc.contributor.authorALLAL, Manal
dc.date.accessioned2019-02-20T12:25:39Z
dc.date.available2019-02-20T12:25:39Z
dc.date.issued2018-06-25
dc.description.abstractLe présent travail concerne l’étude théorique par des méthodes ab-initio des propriétés structurales, élastiques, thermodynamiques et électroniques de ZnSnP2. On a utilisé la méthode (FP-LAPW) qui se base sur la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT). Nous avons utilisé l'approximation de la densité locale (LDA) et l'approximation du gradient généralise (GGA) pour le terme du potentiel d'échange et de corrélation (XC) afin de calculer les propriétés structurales. Les valeurs obtenues sont en accord avec les résultats théoriques. Aussi nous avons utilisé GGA, mBJ pour calculer les propriétés électroniques, nous avons aussi utilisé Gibbs2 pour calculer les propriétés thermodynamiquesen_US
dc.identifier.urihttps://repository.univ-msila.dz/handle/123456789/8409
dc.language.isofren_US
dc.publisherUniversité Mohamed BOUDIAF de M'Silaen_US
dc.subjectab-initio, DFT, FP-LAPW, Semi-Conducteur ,Chalcopyriteen_US
dc.titleEtude des propriétés physiques fondamentales du semi-conducteur ZnSnP2en_US
dc.typeThesisen_US

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