Structure de bandes électroniques et propriétés dérivées des quasi-binaires (InSb)1-x(CdTe)x
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Date
2019-06-04
Authors
Journal Title
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Volume Title
Publisher
Université Mohamed BOUDIAF de M'Sila
Abstract
Nous rapportons dans ce travail une étude théorique des propriétés
électroniques, optiques et diélectriques de alliages semiconducteurs quasi binaires
(InSb)1-x (CdTe)x qui font partie d'une nouvelle classe de semi-conducteurs.
Les calculs sont principalement basés sur l'approche du pseudo-potentiel
empirique (EPM) avec l’approximation du cristal virtuel VCA.
Nos résultats, pour les gaps directs et indirects, les structures de bandes , l’indice
de réfraction et les constantes diélectriques statique et de haute fréquence des alliages
quasibinaires (InSb)1-x(CdTe)x cristallisant dans la phase zinc-blende, sont en très bon
accord avec les résultats expérimentaux et théoriques disponibles. Et des prévisions
pour d’autres par manque de données.
Abstract
In this work, we report a theoretical study of electronic, optical and dielectric
properties of the quasi binary semiconductor alloys (InSb)1-x(CdTe)x which are part of
a new class of semiconductors .
Our calculations are based on the empirical pseudopotential method (EPM)
combined with the virtual crystal approximation (VCA).
Our results for direct and indirect gaps, band structures, the refractive index and
static dielectric constants and high frequency of the quasi-binary alloys (InSb)1-x
(CdTe)x crystallizing in zinc-blende phase are in very good agreement with available
experimental and theoretical results., And forecasts for other due to lack of data.
Description
Keywords
bandes électroniques, propriétés dérivées, quasi-binaires (InSb)1-x(CdTe)x