Etude des propriétés structurales , élastiques et électroniques des semi-conducteurs par la methode Ab-initio
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Date
2018-06-24
Authors
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Volume Title
Publisher
Université Mohamed BOUDIAF de M'Sila
Abstract
Une investigation a été traitée en utilisant la théorie de la densité fonctionnelle dans les
approximations du gradient généralisé (GGA) et dans l’approche du cristal virtuel (VCA).
Cette étude concerne les propriétés structurales, élastiques et électroniques dans le semiconducteur
X x GaP As 1 qui fait l'objet de ce travail. Une déviation de la linéarité a été observée
dans l'évolution de la constante de la maille en fonction de la concentration x. Le semiconducteur
X x GaP As 1 montre un gap direct. Les constantes élastiques et le module de
compression montrent que le semi-conducteur X x GaP As 1 est élastiquement stable
Description
Keywords
propriétés structurales, semi-conducteurs, la methode Ab-initio