Étude et simulation d’un filtre à cristaux photonique bidimensionnel réalisé sur un substrat de l'Arséniure de Galium

dc.contributor.authorZakarya, Seghiri
dc.date.accessioned2018-03-20T09:44:21Z
dc.date.available2018-03-20T09:44:21Z
dc.date.issued2015
dc.description.abstractLes cristaux photoniques ou les matériaux à Bande Interdite Photonique, sont des nouvelles structures dont l’indice de réfraction varie périodiquement dans l’espace. Pour cela, ces matériaux présentent des bandes de fréquence pour lesquelles la propagation de la lumière est interdite. Dans ces matériaux, la périodicité de l’indice diélectrique joue le même rôle pour les photons que la périodicité du potentiel ionique dans un cristal atomique pour les électrons. Cette analogie permet d'envisager l'utilisation des cristaux photoniques comme matériaux de base pour la réalisation de composants pour l'optique intégrée. Avant de réaliser de véritables fonctions optiques et de contrôler la propagation de la lumière, il faut introduire des défauts ponctuels ou étendues dans ces matériaux. L’objectif de ce travail est l’étude et la simulation de l’influence de certains paramètres physiques et géométriques sur les propriétés optiques (la transmittance, la position et le facteur de qualité) d’un filtre à cristaux photoniques bidimensionnels en particulier un filtre appelé Add-Drop. Le filtre étudié est réalisé sur un substrat de l’arséniure de galium (GaAs). Les résultats de simulations des paramètres physiques et géométriques (r et a) en utilisant Fullwave ont montré clairement qu’il y a une amélioration dans les propriétés optiques du filtre étudien_US
dc.identifier.otherEL/MAS048/15
dc.identifier.urihttp://dspace.univ-msila.dz:8080//xmlui/handle/123456789/3774
dc.language.isofren_US
dc.publisherUNIVERSITE DE M’SILA FACULTE DE TECHNOLOGIEen_US
dc.subjectCristaux photoniques 2D, bande interdite, filtre à cristaux photoniques, optique intégrée, Fullwave, Bandsolveen_US
dc.titleÉtude et simulation d’un filtre à cristaux photonique bidimensionnel réalisé sur un substrat de l'Arséniure de Galiumen_US
dc.typeThesisen_US

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