Etude des propriétés structurales, électroniques et élastiques du semi-conducteur CdSnAs2
| dc.contributor.author | DEFDEF, IMANE | |
| dc.date.accessioned | 2019-07-10T11:40:08Z | |
| dc.date.available | 2019-07-10T11:40:08Z | |
| dc.date.issued | 2019-07-04 | |
| dc.description.abstract | Le présent travail concerne l’étude théorique par des méthodes ab-initio des propriétés structurales, élastiques et électroniques de CdSnAs2. On a utilisé la méthode (FP-LAPW) qui se base sur la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT). Nous avons utilisé l'approximation de la densité locale (LDA) et l'approximation du gradient généralise (GGA) pour le terme du potentiel d'échange et de corrélation (XC) afin de calculer les propriétés structurales. Les valeurs obtenues sont en accord avec les résultats théoriques. Aussi nous avons utilisé les approximations GGA, LDA, mBJ-GGA, mBJ-LDA et EV-GGA pour calculer les propriétés électroniques. Nous trouvons que le composé CdSnAs2 est semi-conducteur. Et pour les propriétés élastiques nous trouvons que le composé CdSnAs2 est fragile et anisotropie. | en_US |
| dc.identifier.uri | http://dspace.univ-msila.dz:8080//xmlui/handle/123456789/14906 | |
| dc.language.iso | fr | en_US |
| dc.publisher | Université Mohamed BOUDIAF de M'Sila | en_US |
| dc.subject | ab-initio, DFT, FP-LAPW, Semi-conducteur, Chalcopyrite. | en_US |
| dc.title | Etude des propriétés structurales, électroniques et élastiques du semi-conducteur CdSnAs2 | en_US |
| dc.type | Thesis | en_US |