Etude et simulation des propriétés du dopant sur les profiles d un plantation ionique pour application en nanotechnologie
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Date
2023
Authors
Journal Title
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Volume Title
Publisher
UNIVERSITE MOHAMED BOUDIAF - M’SILA
Abstract
Il existe plusieurs méthodes pour le dopage des matériaux semi-conducteurs,
notamment le dopage par conversion nucléaire, le dopage au laser, et le dopage par
bombardement ionique. Parmi ces méthodes, le dopage par bombardement ionique
suivi de l'incorporation des ions dans le matériau est actuellement la méthode la
plus avancée et couramment utilisée.
Cette technique peut être simulée à l'aide du logiciel Transport and Range of Ions
in Mater (TRIM) développé par Ziegler. Dans ce contexte, le dopage de type
spécifique en utilisant l'aluminium comme élément dopant a été étudié.
Les résultats de la simulation ont permis d'étudier plusieurs paramètres liés au
processus de dopage, notamment le calcul de la concentration de l'élément dopant
dans le matériau, la perte d'énergie des ions lors de leur déplacement dans la
matrice cristalline du matériau, les énergies de rétrodiffusion des ions, les
interactions entre les ions et les ions dispersés, ainsi que les phonons.
De plus, des variations de ces paramètres ont été analysées en fonction des
résultats de la simulation, contribuant ainsi à une meilleure compréhension du
processus de dopage et à son amélioration.