Les propriétés physiques des plasmons dans les semi-conducteurs
| dc.contributor.author | Maouche, Assia | |
| dc.date.accessioned | 2019-02-20T13:36:14Z | |
| dc.date.available | 2019-02-20T13:36:14Z | |
| dc.date.issued | 2017-06-07 | |
| dc.description.abstract | Les plasmons est un sujet important dans le domaine des études photovoltaïques qui a de multiples propriétés et utiles dans les semi-conducteurs qui nous permettent de les utiliser dans des applications électroniques optiques. Dans cette étude, nous avons étudié les propriétés physiques des plasmons dans les semi-conducteurs, y compris les simples, et du groupe III-V et II-IV. Nous avons mesuré les valeurs d'énergie dans cette bande et déterminé la structure cristalline et la masse effective de l'électron pour le Ge, AlSb, ZnSe. Les résultats obtenus sont : Avec la variation de la concentration d'électrons en volume La fonction d'isolement en forte concentration augmente avec l'augmentation de la valeur de la tension ω. Il est établi en concentrations faibles et s'approche de l'unité (1). L'énergie du plasmon est forte en concentrations élevées et faible en faibles concentrations. Les résultats obtenus sont importants pour les études dans ce domaine. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://repository.univ-msila.dz/handle/123456789/8470 | |
| dc.language.iso | fr | en_US |
| dc.publisher | Université Mohamed BOUDIAF de M'Sila | en_US |
| dc.subject | Les propriétés physiques, plasmons, les semi-conducteurs | en_US |
| dc.title | Les propriétés physiques des plasmons dans les semi-conducteurs | en_US |
| dc.type | Thesis | en_US |
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