Propriétés structurales et électroniques des différents polymorphes de phosphure de gallium
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Date
2023
Authors
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Publisher
UNIVERSITE MOHAMED BOUDIAF - M’SILA
Abstract
Le GaP, ou phosphure de gallium, est un composé semi-conducteur constitué d'atomes de gallium (Ga) et de phosphore (P). Il a attiré beaucoup d'attention en raison de ses propriétés prometteuses pour les applications électroniques et optoélectroniques. Ce résumé donne un aperçu concis du composé GaP, en se concentrant sur ses caractéristiques structurelles, ses propriétés électroniques et ses applications potentielles. Le GaP présente une variété de phases cristallines, notamment des structures cubiques, hexagonales et tétragonales. Ces différentes phases résultent d'arrangements atomiques distincts, conduisant à des propriétés électroniques et structurelles spécifiques. L'étude des phases du GaP fait appel à des techniques avancées telles que les méthodes pseudopotentielles, qui décrivent avec précision les propriétés électroniques et structurelles des matériaux. L'étude du GaP a révélé des informations précieuses sur ses structures cristallines et ses propriétés électroniques. La combinaison unique des propriétés du GaP en fait un matériau intéressant pour diverses applications, notamment la photovoltaïque, les diodes électroluminescentes (DEL) et les dispositifs électroniques à grande vitesse. Sa large bande interdite et ses propriétés électroniques favorables font du GaP un matériau adapté à la conversion efficace de la
lumière en électricité, tandis que sa structure cristalline robuste permet de l'intégrer dans des dispositifs électroniques de haute performance.
Description
Keywords
GaP, semi-conducteur, structure cristalline, propriétés électroniques, USPP.