Browsing by Author "Enca/ BOUCHAMA, Idris"

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    Détermination des propriétés structurales, électroniques et optiques des composés ZnO1-XSeX Par CASTEP
    (university of M'sila, 2021-07-17) OUANASSI, Yamina; CHOUTLA, Abir; Enca/ BOUCHAMA, Idris
    Les semi-conducteurs ZnO et ZnSe ont des propriétés importantes notamment dans la fabrication des dispositifs optoélectroniques et photovoltaïques. On a étudié les propriétés structurales, électroniques et optiques des composés ZnO et ZnSe. On a calculé la constante de la maille, le module de compressibilité et sa dérivée. L'étude de la structure de la bande gap montre un gap direct Γ-Γpourles deux composés. L'étude des performances de la cellule solaire nécessite l'utilisation d'un outil unidimensionnel SCAPS-1D. On a calculé la performance de la cellule solaire à base de Cu(In,Ga)Se2 (CIGS). On a étudié l'effet de l'épaisseur du CIGS (couche absorbante), sur le courant de court-circuit JCC, la tension de circuit-ouvert VCO, le facteur de forme FF et le rendement η.
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    Etude unidimensionnel des défauts dans les cellules solaires CIGS
    (university of M'sila, 2021-07-17) BOUDRAA, Mohamed; BENLEMKHARBECH, Okba; Enca/ BOUCHAMA, Idris
    Dans le contexte global de la diversification de l’utilisation des ressources naturelles, le recours aux énergies renouvelables et en particulier le solaire photovoltaïque se fait de plus en plus fort. A ce titre, le développement d’une nouvelle génération de cellules photovoltaïques à base de Cu (In, Ga) Se2 semble prometteur. En effet, le rendement de ces cellules a dépassé les 20% ces dernières années avec certaine condition d'élaboration. L'étude du comportement des caractéristiques électriques des cellules photovoltaïques à base de CIGS est passé par l’optimisation des paramètres primordiales tels que l’épaisseur et le dopage des couches de structure typique de ZnO(n)/CdS(n)/ODC/CIGS(p). Cette étude est effectuée par le simulateur SCAPS-1D. Le but de ce travail, est d'étudier l'effet des défauts profonds dans l'absorbeur CIGS et dans la couche des défauts ODC ainsi que les défauts d'interface ODC/ZnSe sur les performances de la cellule ZnO(n)/CdS(n)/ODC/CIGS(p).