Etude unidimensionnel des défauts dans les cellules solaires CIGS
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Date
2021-07-17
Journal Title
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Volume Title
Publisher
university of M'sila
Abstract
Dans le contexte global de la diversification de l’utilisation des ressources naturelles, le
recours aux énergies renouvelables et en particulier le solaire photovoltaïque se fait de plus en
plus fort. A ce titre, le développement d’une nouvelle génération de cellules photovoltaïques à
base de Cu (In, Ga) Se2 semble prometteur. En effet, le rendement de ces cellules a dépassé les
20% ces dernières années avec certaine condition d'élaboration. L'étude du comportement des
caractéristiques électriques des cellules photovoltaïques à base de CIGS est passé par
l’optimisation des paramètres primordiales tels que l’épaisseur et le dopage des couches de
structure typique de ZnO(n)/CdS(n)/ODC/CIGS(p). Cette étude est effectuée par le simulateur
SCAPS-1D.
Le but de ce travail, est d'étudier l'effet des défauts profonds dans l'absorbeur CIGS et
dans la couche des défauts ODC ainsi que les défauts d'interface ODC/ZnSe sur les
performances de la cellule ZnO(n)/CdS(n)/ODC/CIGS(p).
Description
Keywords
Cellule solaire, Couche mince, Cu (In, Ga) Se2, Simulation numérique, SCAPS- 1D.