Etude de l’effet de la température de recuit sur les propriétés des couches minces de CuInSe2 Par électrodéposition

dc.contributor.authorZIANE, AFAF
dc.date.accessioned2019-02-20T12:15:27Z
dc.date.available2019-02-20T12:15:27Z
dc.date.issued2018-06-27
dc.description.abstractLa synthèse par la méthode d’électrodéposition et l’étude de l’influence de la température de recuit sur les propriétés structurales et optiques des couches élaborées ont été l’objectif principal de ce mémoire. Les solutions ont été obtenues par la dissolution du chlorure de cuivre CuCl2, le chlorure d’indium InCl3, et le dioxyde de sélénium SeO2 dans l’eau désionisée. Les films élaborés sont placés dans des capsules en verre à une pression de 10 mbar d’un mélange gazeux d’argon et de néon .Après l’encapsulation, les échantillons ont subi un recuit thermique à une température qui varie de 100 à 350 °C durant 30 min. Les films recuits à des températures supérieures ou égales à 200 °C présentent uniquement la phase CuInSe2 sous sa structure chalcopyrite avec [112] comme axe d’orientation préférentielle. L'énergie de gap du film recuit à 350 °C est égale 1.07 eV. Le film recuit à 350 °C présente des propriétés structurales et optiques convenables pour la fabrication des cellules solaires en couches mincesen_US
dc.identifier.urihttp://dspace.univ-msila.dz:8080//xmlui/handle/123456789/8405
dc.language.isofren_US
dc.publisherUniversité Mohamed BOUDIAF de M'Silaen_US
dc.subjectCouches minces, électrodéposition, CuInSe2, photovoltaïque.en_US
dc.titleEtude de l’effet de la température de recuit sur les propriétés des couches minces de CuInSe2 Par électrodépositionen_US
dc.typeThesisen_US

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