Etude ab-initio des propriétés électroniques et optiques des spinelles GeMg2O4, GeZn2O4 et GeCd2O4
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Date
2018-06-26
Authors
Journal Title
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Volume Title
Publisher
Université Mohamed BOUDIAF de M'Sila
Abstract
Les propriétés électroniques et optiques de trois principaux représentants des oxydes
spinelles GeMg2O4, GeZn2O4 et GeCd2O4ont été calculés par la méthode du potentiel complet -
ondes planes augmentées et linéarisées (FP-LAPW) basée sur la théorie de la fonctionnelle de
la densité (DFT). Les propriétés électroniques, incluant la structure de bande et la densité
d'états, des matériaux étudiés sont explorées en détail en utilisant, en plus de la LDA et la
GGA-PBE, une nouvelle forme de la GGA mBJ (modified Becke Johnson Potentiel) proposé
par Tran et Blaha; nommée la TB- GGA mBJ, connue pour son amélioration des structures
électroniques. Les fonctions optiques, incluant la fonction diélectrique ( ) , l'indice de
réfraction (n) , le coefficient d'extinction (K) , le coefficient de réflectivité (R) , le coefficient
d'absorption ( ) et la fonction de perte d'énergie (L) sont calculée pour un spectre d'énergie
0-34 eV. Les résultats de la présente étude sont comparés avec les données expérimentales et
théoriques disponibles dans la littérature scientifique pour tester la fiabilité de nos résultats
Description
Keywords
électroniques, optiques, spinelles, GeMg2O4, GeZn2O4 et GeCd2O4