Etude ab-initio des propriétés électroniques et optiques des spinelles GeMg2O4, GeZn2O4 et GeCd2O4
| dc.contributor.author | HARHOUZ, Fatma | |
| dc.date.accessioned | 2019-02-20T12:28:47Z | |
| dc.date.available | 2019-02-20T12:28:47Z | |
| dc.date.issued | 2018-06-26 | |
| dc.description.abstract | Les propriétés électroniques et optiques de trois principaux représentants des oxydes spinelles GeMg2O4, GeZn2O4 et GeCd2O4ont été calculés par la méthode du potentiel complet - ondes planes augmentées et linéarisées (FP-LAPW) basée sur la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT). Les propriétés électroniques, incluant la structure de bande et la densité d'états, des matériaux étudiés sont explorées en détail en utilisant, en plus de la LDA et la GGA-PBE, une nouvelle forme de la GGA mBJ (modified Becke Johnson Potentiel) proposé par Tran et Blaha; nommée la TB- GGA mBJ, connue pour son amélioration des structures électroniques. Les fonctions optiques, incluant la fonction diélectrique ( ) , l'indice de réfraction (n) , le coefficient d'extinction (K) , le coefficient de réflectivité (R) , le coefficient d'absorption ( ) et la fonction de perte d'énergie (L) sont calculée pour un spectre d'énergie 0-34 eV. Les résultats de la présente étude sont comparés avec les données expérimentales et théoriques disponibles dans la littérature scientifique pour tester la fiabilité de nos résultats | en_US |
| dc.identifier.uri | http://dspace.univ-msila.dz:8080//xmlui/handle/123456789/8410 | |
| dc.language.iso | fr | en_US |
| dc.publisher | Université Mohamed BOUDIAF de M'Sila | en_US |
| dc.subject | électroniques, optiques, spinelles, GeMg2O4, GeZn2O4 et GeCd2O4 | en_US |
| dc.title | Etude ab-initio des propriétés électroniques et optiques des spinelles GeMg2O4, GeZn2O4 et GeCd2O4 | en_US |
| dc.type | Thesis | en_US |