ETUDE DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES I(V) DU TRANSISTOR MESFET A BASE DE GaAs
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Date
2019
Authors
Journal Title
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Volume Title
Publisher
UNIVERSITE MOHAMED BOUDIAF - M’SILA
Abstract
Cette étude a pour objectif de simuler des transistors à effet de champ à barrière Schottky à base d’arsenuire de gallium dit MESFET GaAs. Apres avoir rappelé brièvement les généralités de ces transistors, les propriétés physiques de la diode Schottky et du semi-conducteur GaAs, nous avons présenté la structure et le principe de fonctionnement des composant à effet de champ à base de GaAs, tels que : JFET, MOSFET, MESFET et leur dérivé HEMT.
Par la suite, l’étude des propriétés statiques du composant MESFET nous a conduit à définir le système d'équations générales régissant le comportement de ce composant, ainsi que l’effet de la mobilité et de la vitesse des électrons en fonction du champ électrique.
Description
Keywords
Schottky, MESFET GaAs, JFET, MOSFET, MESFET, HEMT