ETUDE DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES I(V) DU TRANSISTOR MESFET A BASE DE GaAs
| dc.contributor.author | Amel, SAOUDI | |
| dc.contributor.author | Halima, BENKHARIF | |
| dc.date.accessioned | 2019-07-31T11:18:41Z | |
| dc.date.available | 2019-07-31T11:18:41Z | |
| dc.date.issued | 2019 | |
| dc.description.abstract | Cette étude a pour objectif de simuler des transistors à effet de champ à barrière Schottky à base d’arsenuire de gallium dit MESFET GaAs. Apres avoir rappelé brièvement les généralités de ces transistors, les propriétés physiques de la diode Schottky et du semi-conducteur GaAs, nous avons présenté la structure et le principe de fonctionnement des composant à effet de champ à base de GaAs, tels que : JFET, MOSFET, MESFET et leur dérivé HEMT. Par la suite, l’étude des propriétés statiques du composant MESFET nous a conduit à définir le système d'équations générales régissant le comportement de ce composant, ainsi que l’effet de la mobilité et de la vitesse des électrons en fonction du champ électrique. | en_US |
| dc.identifier.other | EL/ME009/19/887 | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.univ-msila.dz:8080//xmlui/handle/123456789/16119 | |
| dc.language.iso | fr | en_US |
| dc.publisher | UNIVERSITE MOHAMED BOUDIAF - M’SILA | en_US |
| dc.subject | Schottky, MESFET GaAs, JFET, MOSFET, MESFET, HEMT | en_US |
| dc.title | ETUDE DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES I(V) DU TRANSISTOR MESFET A BASE DE GaAs | en_US |
| dc.type | Thesis | en_US |