Investigation théorique des propriétés élastiques des semiconducteurs III-V
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Date
2016-06-04
Authors
Journal Title
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Volume Title
Publisher
Université Mohamed BOUDIAF de M'Sila
Abstract
Les semi-conducteurs III-V, tels que GaAs, GaSb, InAs, InSb et de InP, présentent des
performances exceptionnelles lorsqu’ils sont utilisés dans des dispositifs optoélectroniques et
d’autres applications dans le développement de nouvelles technologies. L’objectif de cette
thèse est d’étudier les propriétés élastiques, et mécaniques de ces composés mentionnés cidessus.
Nos résultats ont montré que toute les constantes élastiques d’intérêt diminuent d’une
manière monotone avec l’augmentation de la constante du réseau on exhibait un comportent
non linéaire. Nos résultats ont montré aussi que la GaAs est le semi-conducteur le plus rigide
parmi ceux étudiés. Les critères de stabilité mécaniques ont montrés que tous les semiconducteurs
d’intérêt sont stable mécaniquement
Description
Keywords
propriétés élastiques ; semi-conducteurs III-V ; stabilité mécanique ; paramétrés mécaniques.